..корпусы; герметизирующие средства бескорпусных приборов
H01L 31/0216
..покрытия
H01L 31/0224
..электроды
H01L 31/0232
..оптические элементы или приспособления, связанные с прибором
H01L 31/0236
..специальные поверхностные рельефы
H01L 31/024
..приспособления для охлаждения, нагревания, вентиляции или температурной компенсации
H01L 31/0248
.отличающиеся полупроводниковой подложкой
H01L 31/0256
..отличающиеся материалом кристалла
H01L 31/0264
...неорганическим материалом
H01L 31/0272
....использованием селена или теллура
H01L 31/028
....содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только химические элементы четвертой группы Периодической Системы
H01L 31/0288
.....отличающимся легирующим веществом
H01L 31/0296
....содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа AIIBVI, например CdS, ZnS, HgCdTe
H01L 31/0304
....содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа AIIIBV
H01L 31/0312
....содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа AIVBIV, например SiC
H01L 31/032
....содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения, не предусмотренные в рубриках 31/0272 - 31/0312
H01L 31/0328
....содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, полупроводниковые материалы, предусмотренные в двух или более рубриках 31/0272 - 31/032
H01L 31/0336
.....в различных полупроводниковых областях, например гетеропереходах Cu2X - CdX, где X - элемент шестой группы Периодической Системы
H01L 31/0352
..отличающиеся формой или формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей
H01L 31/036
..отличающиеся кристаллической структурой или особой ориентацией кристаллографических плоскостей
H01L 31/0368
...содержащие поликристаллические полупроводники ( 31/0392 имеет преимущество)
H01L 31/0376
...содержащие аморфные полупроводники ( 31/0392 имеет преимущество)
H01L 31/0384
...содержащие другие немонокристаллические материалы, например полупроводниковые частицы, внедренные в диэлектрик ( 31/0392 имеет преимущество)
H01L 31/0392
...содержащие тонкие пленки, осажденные на металлические или диэлектрические подложки
H01L 31/04
.предназначенные для работы в качестве преобразователей
H01L 31/042
..содержащие панели или матрицы фотоэлектрических элементов, например солнечных элементов
H01L 31/045
...складные
H01L 31/048
...герметизированные бескорпусные или с корпусом
H01L 31/05
...отличающиеся специальными межсоединениями
H01L 31/052
...с охлаждающими, светоконцентрирующими или светоотражающими средствами
H01L 31/055
....в которых световое излучение поглощается и вторично излучается с отличной длиной волны при помощи концентратора, например с использованием люминесцентных материалов
H01L 31/058
...содержащие средства для использования тепловой энергии, например гибридные системы, или добавочные источники электрической энергии
H01L 31/06
..отличающиеся по меньшей мере одним потенциальным барьером, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностным барьером
H01L 31/062
...с потенциальными барьерами только типа металл-диэлектрик-полупроводник
H01L 31/065
...с потенциальными барьерами только с плавно изменяющейся запрещенной зоной
H01L 31/068
...с потенциальными барьерами только в виде гомоструктурного p-n перехода
H01L 31/07
...с потенциальными барьерами только типа Шотки
H01L 31/072
...с потенциальными барьерами только в виде p-n гетероперехода
H01L 31/075
...с потенциальными барьерами только p-i-n типа
H01L 31/078
...содержащие потенциальные барьеры, предусмотренные в двух или более из рубрик 31/062 - 31/075
H01L 31/08
.в которых излучение управляет током, проходящим через прибор, например фоторезисторы
H01L 31/09
..приборы, чувствительные к инфракрасному, видимому или ультрафиолетовому излучению ( 31/101 имеет преимущество)
H01L 31/10
..отличающиеся наличием, по меньшей мере, одного поверхностного барьера или потенциального барьера, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, например фототранзисторы
H01L 31/101
...чувствительные к инфракрасному, видимому или ультрафиолетовому излучению
H01L 31/102
....отличающиеся наличием только одного потенциального или поверхностного барьера
H01L 31/103
.....с потенциальным барьером в виде p-n перехода
H01L 31/105
.....с потенциальным барьером p-i-n типа
H01L 31/107
.....с потенциальным барьером, работающим в лавинном режиме, например лавинные фотодиоды
H01L 31/108
.....с потенциальным барьером Шотки
H01L 31/109
.....с потенциальным барьером в виде p-n гетероперехода
H01L 31/11
....отличающиеся наличием двух потенциальных или поверхностных барьеров, например биполярные фототранзисторы
H01L 31/111
....отличающиеся наличием трех потенциальных барьеров, например фототиристоры
H01L 31/112
....отличающиеся действием полевого эффекта, например плоскостные полевые фототранзисторы
H01L 31/113
.....со структурой типа проводник-диэлектрик-полупроводник, например полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик-полупроводник
H01L 31/115
...приборы, чувствительные к волнам очень короткой длины, например рентгеновскому излучению, гамма-излучению или корпускулярному излучению
H01L 31/117
....детекторы излучения, основанные на использовании объемного эффекта, например германиево-литиевые детекторы гамма-излучения с компенсированным p-i-n-переходом
H01L 31/118
....детекторы, основанные на использовании поверхностного барьера, или неглубокого p-n перехода, например детекторы альфа-частиц с использованием поверхностного барьера
H01L 31/119
....отличающиеся использованием полевого эффекта, например детекторы со структурой типа металл-диэлектрик-полупроводник
H01L 31/12
.связанные с одним или несколькими электрическими, например электролюминесцентными, источниками света конструктивным путем, например путем формирования на общей подложке или внутри нее, и кроме того электрически или оптически связанные с этими источниками света (электролюминесцентные источники света как таковые H 05B 33/00)
H01L 31/14
..с одним или несколькими источниками света, управляемыми полупроводниковыми приборами, чувствительными к излучению, например электронно-оптические преобразователи, электронно-оптические усилители изображения, электронно-оптические устройства для запоминания изображения
H01L 31/147
...полупроводниковые приборы - источники света и приборы, чувствительные к излучению - отличающиеся наличием по меньшей мере одного потенциального или поверхностного барьера
H01L 31/153
....сформированные на общей подложке или внутри нее
H01L 31/16
..с полупроводниковым прибором, чувствительным к излучению и управляемым одним или несколькими источниками света
H01L 31/167
...полупроводниковые приборы - источники света и приборы, чувствительные к излучению - отличающиеся наличием по меньшей мере одного потенциального или поверхностного барьера
H01L 31/173
....сформированные на общей подложке или внутри нее
H01L 31/18
.способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей
H01L 31/20
..приборы или их части, содержащие аморфный полупроводниковый материал
H01L 31/00 Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов ( 51/42 имеет преимущество; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, кроме приборов, содержащих чувствительные к излучению компоненты, в комбинации с одним или несколькими электрическими источниками света 27/00)