.изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
H01L 21/027
..образование маски на полупроводниковой подложке для дальнейшей фотолитографической обработки, не отнесенное к рубрикам 21/18 или 21/34
H01L 21/033
...с неорганическими слоями
H01L 21/04
..приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей
H01L 21/06
...приборов с полупроводниковыми подложками, содержащими селен или теллур в несвязанной форме, если они не являются примесями в полупроводниковой подложке из другого материала
H01L 21/08
....подготовка пластины основания
H01L 21/10
....предварительная обработка селена или теллура, наложение их на пластину основания и последующая обработка этой комбинации
H01L 21/103
.....придание селену или теллуру электропроводности
H01L 21/105
.....обработка поверхности слоя селена или теллура после придания ему электропроводности
H01L 21/108
.....получение отдельных диэлектрических слоев, т.е. искусственных потенциальных барьеров
H01L 21/12
....наложение электродов на поверхность селена или теллура, после наложения селена или теллура на пластину основания
H01L 21/14
....обработка законченного прибора, например путем электроформования с целью образования потенциального барьера
H01L 21/145
.....старение
H01L 21/16
...приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат оксид или йодид меди
H01L 21/18
...приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками
H01L 21/20
....нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание
H01L 21/203
.....физическим осаждением или напылением, например вакуумным распылением или разбрызгиванием
H01L 21/205
.....разложением газовой смеси с выходом твердого конденсата или химическим осаждением
H01L 21/208
.....жидкостным напылением
H01L 21/22
....диффузия примесных материалов, например легирующих и электродных материалов, в полупроводниковую подложку или из нее или между полупроводниковыми областями; перераспределение примесей, например без введения или удаления добавочной легирующей примеси
H01L 21/223
.....диффузия из твердой фазы в газовую или из газовой фазы в твердую
H01L 21/225
.....диффузия из твердой фазы в твердую фазу или обратно, например легирование оксидного слоя
H01L 21/228
.....диффузия из твердой фазы в жидкую или обратно, например процессы сплавной диффузии
H01L 21/24
....сплавление примесей, например легирующих и электродных материалов, с полупроводниковой подложкой
H01L 21/26
....воздействие волновым излучением или излучением частиц
H01L 21/261
.....для осуществления превращения химических элементов в результате ядерной реакции
H01L 21/263
.....с высокой энергией ( 21/261 имеет преимущество)
H01L 21/265
......с внедрением ионов
H01L 21/266
.......с использованием масок
H01L 21/268
......с использованием электромагнитного излучения, например лазерного
H01L 21/28
....изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов и устройств, не предусмотренных в 21/20 - 21/268
H01L 21/283
.....осаждением электропроводящих или диэлектрических материалов для электродов
H01L 21/285
......из газа или пара, например способом конденсации
H01L 21/288
......из жидкости, например способом электролитического осаждения
H01L 21/30
....обработка полупроводников с использованием способов и устройств, не предусмотренных в 21/20 - 21/26 (изготовление электродов на полупроводниковых телах 21/28)
H01L 21/301
.....для подразделения полупроводниковой подложки на отдельные части, например образование перегородок (резка 21/304)
H01L 21/302
.....для изменения физических свойств или формы их поверхностей, например травление, полирование, резка
H01L 21/304
......механическая обработка, например шлифование, полирование, резка
H01L 21/306
......обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для образования диэлектрических пленок 21/31; последующая обработка диэлектрических пленок 21/3105)
H01L 21/3063
.......электролитическое травление
H01L 21/3065
.......плазменное травление; ионное травление
H01L 21/308
.......с использованием масок ( 21/3063, 21/3065 имеют преимущество)
H01L 21/31
.....с целью образования диэлектрических слоев на полупроводниках, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии ( герметизирующих слоев 21/56); последующая обработка этих слоев; выбор материалов для этих слоев
H01L 21/3105
......последующая обработка
H01L 21/311
.......травление
H01L 21/3115
.......легирование
H01L 21/312
......из органических веществ, например слоев фоторезиста ( 21/3105, 21/32 имеют преимущество)
H01L 21/314
......из неорганических веществ ( 21/3105, 21/32 имеют преимущество)
H01L 21/316
.......из оксидов, стекловидных оксидов или стекла на основе оксидов
H01L 21/318
.......из нитридов
H01L 21/32
......с использованием масок
H01L 21/3205
......осаждение недиэлектрических слоев, например электропроводных или резистивных, на диэлектрические слои; последующая обработка этих слоев (изготовление электродов 21/28)
H01L 21/321
.......последующая обработка
H01L 21/3213
........физическое или химическое травление слоев, например для образования формы слоя из предварительно нанесенного слоя, образующего фактор экстенсивности
H01L 21/3215
........легирование
H01L 21/322
.....для модификации их характеристик, например для образования внутренних дефектов кристаллической решетки
H01L 21/324
.....термическая обработка для модификации характеристик полупроводниковых подложек, например отжиг или спекание ( 21/20 - 21/288 и 21/302 - 21/322 имеют преимущество)
H01L 21/326
.....применение электрического тока или электрических полей, например для электроформования ( 21/20 - 21/288 и 21/302 - 21/324 имеют преимущество)
H01L 21/328
....многоступенчатые процессы для изготовления биполярных приборов, например диодов, транзисторов, тиристоров
H01L 21/329
.....приборов, имеющих один или два электрода, например диодов
H01L 21/33
.....приборов, имеющих три или более электродов
H01L 21/331
......транзисторов
H01L 21/332
......тиристоров
H01L 21/334
....многоступенчатые процессы для изготовления униполярных приборов
H01L 21/335
.....полевых транзисторов
H01L 21/336
......с изолированным затвором
H01L 21/337
......с управляющим p-n-переходом
H01L 21/338
......с затвором в виде барьера Шотки
H01L 21/339
.....приборов с переносом зарядов
H01L 21/34
...изготовление приборов на полупроводниковых подложках с примесями или без них, например с примесями легирующих материалов, кроме приборов, предусмотренных в 21/06, 21/16 и 21/18
H01L 21/36
....нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание
H01L 21/363
.....с использованием физического осаждения, например вакуумного осаждения или напыления
H01L 21/365
.....с использованием разложения газовых смесей с выходом твердого конденсата, т.е. химическое осаждение
H01L 21/368
.....с использованием жидкостного осаждения
H01L 21/38
....диффузия примесных материалов, например легирующих и электродных материалов в полупроводниковую подложку или из нее, или между полупроводниковыми областями
H01L 21/383
.....диффузия в твердую фазу из газовой фазы, или обратная диффузия
H01L 21/385
.....диффузия в твердую фазу из твердой фазы, или обратная диффузия, например процесс добавления присадок к окисному слою
H01L 21/388
.....диффузия в твердую фазу из жидкой фазы, или обратная диффузия, например процессы сплавной диффузии
H01L 21/40
....сплавление примесных материалов, например легирующих материалов, материалов электродов, с полупроводниковой подложкой
H01L 21/42
....воздействие излучением
H01L 21/423
.....высокой энергией
H01L 21/425
......с внедрением ионов
H01L 21/426
.......с использованием масок
H01L 21/428
......с использованием электромагнитного излучения, например лазерное излучение
H01L 21/44
....изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов или устройств, не предусмотренных в 21/36 - 21/428
H01L 21/441
.....осаждением электропроводящих и диэлектрических материалов для электродов
H01L 21/443
......из газа или пара, например конденсацией
H01L 21/445
......из жидкости, например электролитическим осаждением
H01L 21/447
.....с использованием давления, например соединение с помощью теплового сжатия ( 21/607 имеет преимущество)
H01L 21/449
.....с использованием механических колебаний, например ультразвуковых
H01L 21/46
....обработка полупроводниковых подложек с использованием способов, не предусмотренных в 21/36 - 21/428 (изготовление электродов на них 21/44)
H01L 21/461
.....для изменения формы или поверхностных физических характеристик, например травлением, полированием или резкой
H01L 21/463
......обработка механическими способами, например шлифованием, ультразвуком
H01L 21/465
......обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для формования диэлектрического слоя 21/469)
H01L 21/467
.......с использованием масок
H01L 21/469
......для образования на них диэлектрических слоев, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии (герметизирующих слоев 21/56); последующая обработка этих слоев
H01L 21/47
.......из органических веществ, например слоев фоторезиста ( 21/475, 21/4757 имеют преимущество)
H01L 21/471
.......из неорганических веществ ( 21/475, 21/4757 имеют преимущество)
H01L 21/473
........состоящих из оксидов, стекловидных оксидов или на основе оксидов стекла
H01L 21/475
.......с использованием масок
H01L 21/4757
.......последующая обработка
H01L 21/4763
......осаждение недиэлектрических слоев, например электропроводных, резистивных, на диэлектрические слои; последующая обработка этих слоев (изготовление электродов 21/28)
H01L 21/477
.....термическая обработка для модификации свойств полупроводниковых подложек, например отжигом, спеканием ( 21/36 - 21/449 и 21/461 - 21/475 имеют преимущество)
H01L 21/479
.....обработка с использованием электрического тока или электрических полей, например для электроформования ( 21/36 - 21/449 и 21/461 - 21/477 имеют преимущество)
H01L 21/48
...изготовление или обработка частей, например корпусов, до сборки прибора, с использованием способов, не предусмотренных ни одной из подгрупп 21/06 - 21/326
H01L 21/50
...сборка полупроводниковых приборов с использованием способов или устройств, не предусмотренных ни одной из подгрупп 21/06 - 21/326
H01L 21/52
....монтаж полупроводниковой подложки в корпусе
H01L 21/54
....заполнение корпуса, например газом
H01L 21/56
....герметизация, например пленками или покрытиями
H01L 21/58
....крепление полупроводникового прибора на опоре
H01L 21/60
....присоединение проводов или других электропроводящих элементов, используемых для подвода или отвода тока в процессе работы прибора
H01L 21/603
.....с использованием давления, например соединение тепловым сжатием ( 21/607 имеет преимущество)
H01L 21/607
.....с использованием механических колебаний, например ультразвуковых колебаний
H01L 21/62
..приборы, не имеющие потенциального барьера, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностного барьера
H01L 21/64
.изготовление или обработка приборов на твердом теле, иных чем полупроводниковые, или их частей, не предназначенные только для данного типа приборов, предусмотренных в группах 31/00 - 51/00
H01L 21/66
.испытания или измерения в процессе изготовления или обработки
H01L 21/67
.устройства, специально предназначенные для манипулирования полупроводниковыми или электронными устройствами на твердом теле при их изготовлении или обработке; устройства, специально предназначенные для манипулирования полупроводниковыми пластинами при изготовлении или обработке полупроводниковых или электрических устройств на твердом теле или их компонентов
H01L 21/673
..с использованием специальных держателей
H01L 21/677
..для транспортировки, например между различными рабочими местами
H01L 21/68
..для позиционирования, ориентирования и центрирования
H01L 21/683
..для поддержания или захвата ( для изменения положения 21/68)
H01L 21/687
...с использованием механических средств, например зажимов, фиксаторов или захватов
H01L 21/70
.изготовление и обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее, или их особых частей; изготовление приборов на интегральных схемах или их особых частей (изготовление блоков, состоящих из предварительно изготовленных электрических элементов, H 05K 3/00, H 05K 13/00)
H01L 21/71
..изготовление особых частей устройств, относящихся к группам 21/70 ( 21/28, 21/44, 21/48 имеют преимущество)
H01L 21/74
...получение скрытых подложек с большим содержанием примесей, например скрытых коллекторных слоев, внутренних соединений
H01L 21/76
...получение изоляционных областей между компонентами
H01L 21/761
....p-n переходов
H01L 21/762
....диэлектрических областей
H01L 21/763
....поликристаллических полупроводниковых областей
H01L 21/764
....воздушных зазоров
H01L 21/765
....с помощью полевого эффекта
H01L 21/768
...с применением межсоединений, используемых для пропускания тока между отдельными компонентами внутри прибора
H01L 21/77
..изготовление или обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее
H01L 21/78
...с последующим разделением подложки на несколько отдельных приборов (резка, изменяющая физические свойства поверхности или форму полупроводниковых элементов, 21/304)
H01L 21/782
....для получения приборов, каждый из которых состоит из отдельного электрического элемента ( 21/82 имеет преимущество)
H01L 21/784
.....на подложке из полупроводникового материала
H01L 21/786
.....на подложках из материалов иных, чем полупроводниковые, например изолирующих
H01L 21/82
....для получения приборов, например интегральных схем, каждый из которых состоит из нескольких компонентов
H01L 21/822
.....полупроводниковых подложек с использованием кремниевой технологии ( 21/8258 имеет преимущество)
H01L 21/8222
......технология изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах
H01L 21/8224
.......содержащих комбинации из вертикальных и горизонтальных транзисторов
H01L 21/8226
.......содержащих объединенную транзисторную логику или интегральную переходную логику
H01L 21/8228
.......комплементарные приборы, например комплементарные транзисторы
H01L 21/8229
.......структуры памяти
H01L 21/8232
......технология изготовления интегральных схем на полевых транзисторах
H01L 21/8234
.......технология изготовления интегральных схем на MIS транзисторах
H01L 21/8236
........комбинация обеднения или обогащения транзисторов
H01L 21/8238
........на комплементарных полевых транзисторах, например КМОП-структуры
H01L 21/8239
........структуры памяти
H01L 21/8242
.........динамические структуры памяти со случайным доступом (динамические ЗУПВ)
H01L 21/8244
.........статические структуры памяти со случайным доступом (статические ЗУПВ)
H01L 21/8246
.........структуры памяти только считывающие (ПЗУ)
H01L 21/8247
..........электрически программируемые (СПЗУ)
H01L 21/8248
......комбинация технологий изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах и полевых транзисторах
H01L 21/8249
.......технология изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах и МОП-структурах
H01L 21/8252
.....на подложке из полупроводникового материала с исользованием III-V технологии ( 21/8258 имеет преимущество)
H01L 21/8254
.....на подложке из полупроводникового материала с использованием II-VI технологии ( 21/8258 имеет преимущество)
H01L 21/8256
.....на подложке из полупроводникового материала с использованием технологий, не отнесенных к рубрикам 21/822, 21/8252 или 21/8254 ( 21/8258 имеет преимущество)
H01L 21/8258
.....на подложке из полупроводникового материала с использованием комбинации технологий, рассматриваемых в рубриках 21/822, 21/8252, 21/8254 или 21/8256
H01L 21/84
.....на подложке из неполупроводникового материала, например диэлектрика
H01L 21/86
......с диэлектриком из сапфира, например структуры кремний на сапфире
H01L 21/98
..сборка прибора, состоящего из твердотельных элементов, сформированных на общей подложке; сборка интегральных схем ( 21/50 имеет преимущество)
Примечание Рубрика 21/70 имеет преимущество перед рубриками 21/02 - 21/67.
H01L 21/00 Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей 