C30B Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B 01J 3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C 22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B 22D; обработка пластмасс B 29; изменение физической структуры металлов или сплавов C 21D, C 22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H 01L); устройства для вышеуказанных целей Примечания (1) В данном подклассе применяемые термины означают следующее: - "монокристалл" - продукт, состоящий преимущественно из монокристаллов, но содержащий также и двойниковые кристаллы; - "гомогенный поликристаллический материал" - материал, состоящий из кристаллических частиц одинакового химического состава; - "определенная структура" - структура материала, состоящего из зерен, ориентированных определенным образом или имеющих размеры больше, чем получаемые в обычных условиях. (2) В данном подклассе : - получение монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой из особых веществ или особой формы классифицируется как в группе для используемого способа, так и в группе 29/00; - устройства, специально предназначенные для осуществления определенного способа, классифицируются в соответствующей группе для способа. Устройства, используемые в нескольких видах способов, классифицируются в группе 35/00.
Выращивание монокристаллов зонной плавкой; очистка зонной плавкой ( 17/00 имеет преимущество; изменением поперечного сечения обрабатываемого твердого тела 15/00; под защитной жидкостью 27/00; для выращивания гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой 28/00; зонная очистка особых материалов классифицируется в соответствующих подклассах для материалов)
Выращивание монокристаллов на затравочном кристалле, остающемся в расплаве в процессе выращивания, например по методу Накена-Киропулоса ( 15/00 имеет преимущество)
Устройства вообще, специально предназначенные для выращивания, получения или последующей обработки монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой
C30B Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B 01J 3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C 22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B 22D; обработка пластмасс B 29; изменение физической структуры металлов или сплавов C 21D, C 22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H 01L); устройства для вышеуказанных целей 