ИННОВАЦИОННЫЕ ПРОЕКТЫ МАЛОГО БИЗНЕСА
projects.innovbusiness.ru
Вверх H01L 31/00 Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов ( 51/42 имеет преимущество; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, кроме приборов, содержащих чувствительные к излучению компоненты, в комбинации с одним или несколькими электрическими источниками света  27/00; кровельные покрытия с приспособлениями для размещения и использования устройств для накопления или концентрирования энергии  E 04D 13/18; получение тепловой энергии с использованием солнечного тепла  F 24J 2/00; измерение интенсивности рентгеновского излучения, гамма-излучения, корпускулярного или космического излучения с помощью полупроводниковых детекторов  G 01T 1/24; с помощью резистивных детекторов  G 01T 1/26; измерение нейтронного излучения с помощью полупроводниковых детекторов  G 01T 3/08; соединение световодов с оптоэлектронными элементами  G 02B 6/42; получение энергии от радиоактивных источников  G 21H)
  H01L 31/02.конструктивные элементы
  H01L 31/0203..корпусы; герметизирующие средства бескорпусных приборов
  H01L 31/0216..покрытия
  H01L 31/0224..электроды
  H01L 31/0232..оптические элементы или приспособления, связанные с прибором
  H01L 31/0236..специальные поверхностные рельефы
  H01L 31/024..приспособления для охлаждения, нагревания, вентиляции или температурной компенсации
  H01L 31/0248.отличающиеся полупроводниковой подложкой
  H01L 31/0256..отличающиеся материалом кристалла
  H01L 31/0264...неорганическим материалом
  H01L 31/0272....использованием селена или теллура
  H01L 31/028....содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только химические элементы четвертой группы Периодической Системы
  H01L 31/0288.....отличающимся легирующим веществом
  H01L 31/0296....содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа AIIBVI, например CdS, ZnS, HgCdTe
  H01L 31/0304....содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа AIIIBV
  H01L 31/0312....содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа AIVBIV, например SiC
  H01L 31/032....содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения, не предусмотренные в рубриках  31/0272 - 31/0312
  H01L 31/0328....содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, полупроводниковые материалы, предусмотренные в двух или более рубриках  31/0272 - 31/032
  H01L 31/0336.....в различных полупроводниковых областях, например гетеропереходах Cu2X - CdX, где X- элемент шестой группы Периодической Системы
  H01L 31/0352..отличающиеся формой или формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей
  H01L 31/036..отличающиеся кристаллической структурой или особой ориентацией кристаллографических плоскостей
  H01L 31/0368...содержащие поликристаллические полупроводники ( 31/0392 имеет преимущество)
  H01L 31/0376...содержащие аморфные полупроводники ( 31/0392 имеет преимущество)
  H01L 31/0384...содержащие другие немонокристаллические материалы, например полупроводниковые частицы, внедренные в диэлектрик ( 31/0392 имеет преимущество)
  H01L 31/0392...содержащие тонкие пленки, осажденные на металлические или диэлектрические подложки
  H01L 31/04.предназначенные для работы в качестве преобразователей
  H01L 31/042..содержащие панели или матрицы фотоэлектрических элементов, например солнечных элементов
  H01L 31/045...складные
  H01L 31/048...герметизированные бескорпусные или с корпусом
  H01L 31/05...отличающиеся специальными межсоединениями
  H01L 31/052...с охлаждающими, светоконцентрирующими или светоотражающими средствами
  H01L 31/055....в которых световое излучение поглощается и вторично излучается с отличной длиной волны при помощи концентратора, например с использованием люминесцентных материалов
  H01L 31/058...содержащие средства для использования тепловой энергии, например гибридные системы, или добавочные источники электрической энергии (использующие солнечное тепло вообще  F 24J 2/00)
  H01L 31/06..отличающиеся по меньшей мере одним потенциальным барьером, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностным барьером
  H01L 31/062...с потенциальными барьерами только типа металл-диэлектрик-полупроводник
  H01L 31/065...с потенциальными барьерами только с плавно изменяющейся запрещенной зоной
  H01L 31/068...с потенциальными барьерами только в виде гомоструктурного p-n-перехода
  H01L 31/07...с потенциальными барьерами только типа Шотки
  H01L 31/072...с потенциальными барьерами только в виде p-n-гетероперехода
  H01L 31/075...с потенциальными барьерами только p-i-n-типа
  H01L 31/078...содержащие потенциальные барьеры, предусмотренные в двух или более из рубрик  31/062 - 31/075
  H01L 31/08.в которых излучение управляет током, проходящим через прибор, например фоторезисторы
  H01L 31/09..приборы, чувствительные к инфракрасному, видимому или ультрафиолетовому излучению ( 31/101 имеет преимущество)
  H01L 31/10..отличающиеся наличием, по меньшей мере, одного поверхностного барьера или потенциального барьера, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, например фототранзисторы
  H01L 31/101...чувствительные к инфракрасному, видимому или ультрафиолетовому излучению
  H01L 31/102....отличающиеся наличием только одного потенциального или поверхностного барьера
  H01L 31/103.....с потенциальным барьером в виде p-n-перехода
  H01L 31/105.....с потенциальным барьером p-i-n-типа
  H01L 31/107.....с потенциальным барьером, работающим в лавинном режиме, например лавинные фотодиоды
  H01L 31/108.....с потенциальным барьером Шотки
  H01L 31/109.....с потенциальным барьером в виде p-n-гетероперехода
  H01L 31/11....отличающиеся наличием двух потенциальных или поверхностных барьеров, например биполярные фототранзисторы
  H01L 31/111....отличающиеся наличием трех потенциальных барьеров, например фототиристоры
  H01L 31/112....отличающиеся действием полевого эффекта, например плоскостные полевые фототранзисторы
  H01L 31/113.....со структурой типа проводник-диэлектрик-полупроводник, например полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик-полупроводник
  H01L 31/115...приборы, чувствительные к волнам очень короткой длины, например рентгеновскому излучению, гамма-излучению или корпускулярному излучению
  H01L 31/117....детекторы излучения, основанные на использовании объемного эффекта, например германиево-литиевые детекторы гамма-излучения с компенсированным p-i-n-переходом
  H01L 31/118....детекторы, основанные на использовании поверхностного барьера, или неглубокого p-n-перехода, например детекторы альфа-частиц с использованием поверхностного барьера
  H01L 31/119....отличающиеся использованием полевого эффекта, например детекторы со структурой типа металл-диэлектрик-полупроводник
  H01L 31/12.связанные с одним или несколькими электрическими, например электролюминесцентными, источниками света конструктивным путем, например путем формирования на общей подложке или внутри нее, и кроме того электрически или оптически связанные с этими источниками света (полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним поверхностным или потенциальным барьером, специально предназначенные для излучения света  33/00; усилители, имеющие электролюминесцентный элемент или фотоэлемент  H 03F 17/00; электролюминесцентные источники света как таковые  H 05B 33/00)
  H01L 31/14..с одним или несколькими источниками света, управляемыми полупроводниковыми приборами, чувствительными к излучению, например электронно-оптические преобразователи, электронно-оптические усилители изображения, электронно-оптические устройства для запоминания изображения
  H01L 31/147...полупроводниковые приборы - источники света и приборы, чувствительные к излучению - отличающиеся наличием по меньшей мере одного потенциального или поверхностного барьера
  H01L 31/153....сформированные на общей подложке или внутри нее
  H01L 31/16..с полупроводниковым прибором, чувствительным к излучению и управляемым одним или несколькими источниками света
  H01L 31/167...полупроводниковые приборы - источники света и приборы, чувствительные к излучению - отличающиеся наличием по меньшей мере одного потенциального или поверхностного барьера
  H01L 31/173....сформированные на общей подложке или внутри нее
  H01L 31/18.способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей (для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей вообще  21/00)
  H01L 31/20..приборы или их части, содержащие аморфный полупроводниковый материал
2003 - 2022 © НДП "Альянс Медиа"
Рейтинг@Mail.ruRambler's Top100