| C30B 25/02 | .выращивание эпитаксиальных слоев |
| C30B 25/04 | ..отложение образцов, например с использованием защитных слоев |
| C30B 25/06 | ..разбрызгиванием продуктов реакции |
| C30B 25/08 | ..реакционные камеры; выбор материалов для них |
| C30B 25/10 | ..нагревание реакционной камеры или подложки |
| C30B 25/12 | ..держатели или приемники подложек |
| C30B 25/14 | ..средства для подачи или выпуска газов; изменение потока реакционноспособных газов |
| C30B 25/16 | ..управление или регулирование (управление или регулирование вообще G 05) |
| C30B 25/18 | ..характеризуемое подложкой |
| C30B 25/20 | ...с подложкой из того же материала, что эпитаксиальный слой |
| C30B 25/22 | ..способы получения "сэндвичевых" слоев |
C30B 25/00 Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы 