.добавлением к расплаву кристаллизующегося материала или реагентов, образующих его непосредственно в процессе
C30B 15/04
..с добавлением легирующего материала, например для n-р переходов
C30B 15/06
.невертикальное вытягивание
C30B 15/08
.вытягивание вниз
C30B 15/10
.тигли или контейнеры для поддерживания расплава
C30B 15/12
..методы двойного тигля
C30B 15/14
.нагревание расплава или кристаллизуемого материала
C30B 15/16
..облучением или электрическим разрядом
C30B 15/18
..с использованием прямого нагрева сопротивлением в дополнение к другим методам нагрева, например с использованием эффекта Пельтье
C30B 15/20
.управление или регулирование (управление или регулирование вообще G 05)
C30B 15/22
..стабилизация или управление формой расплавленной зоны вблизи вытягиваемого кристалла; регулирование сечения кристалла
C30B 15/24
...с использованием механических средств, например формонаправляющих приспособлений (формоизменяющие матрицы для выращивания из пленки кристаллов с определенными гранями 15/34)
C30B 15/26
...с использованием телевизионных детекторов; с использованием фотодетекторов и(или) рентгеновских детекторов
C30B 15/28
...с использованием изменения веса кристалла или расплава, например флотационными способами
C30B 15/30
.механизмы для вращения или передвижения расплава или кристалла (флотационные способы 15/28)
C30B 15/32
.держатели затравочных кристаллов, например зажимные патроны
C30B 15/34
.выращивание из пленки кристаллов с определенными гранями с использованием формоизменяющих матриц или щелей
C30B 15/36
.отличающееся затравочным кристаллом, например его кристаллографической ориентацией
C30B 15/00 Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского (под защитной жидкостью 27/00)