| Область применения: | Электроника |
| Аннотация: | С точки зрения формирования микроэлектронных чипов для обеспечения протекания электрического тока через активную область полупроводникового прибора на поверхность полупроводника необходимо нанести многослойное металлическое покрытие - контакт. Причем площадь и форма этого покрытия напрямую зависят от получения желаемых параметров будущего прибора. Так же, технологии современных гетероструктурных приборов требуют учета чистоты осаждаемого покрытия и подготовки поверхности полупроводника перед осаждением металла. Особенно критичными чистота процесса осаждения и чистота осаждаемого металла становятся в случае гетероструктурных приборов на основе нитридных полупроводников (AlGaN, InAlGaN и т.п.). |
| Объект интеллектуальной собственности: | изобретение |
| Автор/разработчик: | SemiTEq |
| Стадия освоения разработки: | серийное производство |
| Название предприятия: | "Научное и технологическое оборудование", ЗАО |
| Статус: | юридическое лицо |
| Адрес: | 194156, Россия. Санкт-Петербург |
| Телефон: | +7 (812) 702-13-08 |
| Факс: | +7 (812) 320-43-94 |
| E-mail: | info@semiteq.ru |
| Адрес Web: | www.semiteq.ru |
| ФИО руководителя предприятия: | Погорельский Юрий Васильевич |
| Контактное лицо: | Филаретов Алексей Гелиевич |
| Регион: | Санкт-Петербург |
| Прикрепленные файлы: |
|