.конструктивные детали или компоненты, не влияющие на работу лазера
H01S 5/022
..монтажные, сборочные элементы; корпуса
H01S 5/024
..охлаждающие устройства
H01S 5/026
..монолитно встроенные компоненты, например волноводы, контролирующие фотодетекторы, возбудители (стабилизация выходных параметров 5/06; соединение световодов с опто-электронными элементами G 02B 6/42; устройства, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих твердотельных компонентов, сформированных внутри общей подложки или на ней, и специально предназначенные для светового излучения H 01L 27/15)
H01S 5/028
..покрытия
H01S 5/04
.способы и устройства для возбуждения, например накачка ( 5/06 имеет преимущество)
H01S 5/042
..электрическое возбуждение
H01S 5/06
.устройства для управления выходными параметрами лазера, например путем воздействия на активную среду (передающие системы, использующие световые волны H 04B 10/00)
H01S 5/062
..изменением потенциала, приложенного к электродам ( 5/065 имеет преимущество)
H01S 5/0625
...в многосекционных лазерах
H01S 5/065
..синхронизация мод; подавление мод; селекция мод
H01S 5/068
..стабилизация выходных параметров лазера ( 5/0625 имеет преимущество)
..резонаторы, с периодической структурой, например в лазерах с распределенной обратной связью (DFB-лазеры) ( 5/18 имеет преимущество)
H01S 5/125
...лазеры с распределенным отражателем Брэгга (DBR-лазеры)
H01S 5/14
..лазеры с внешним объемным резонатором ( 5/18 имеет преимущество; синхронизация 5/065)
H01S 5/16
..лазеры типа волноводного окна, т.е. с областью из непоглощающего материала между активной зоной и отражающей поверхностью ( 5/14 имеет преимущество)
H01S 5/18
..лазеры с лучеиспускающей поверхностью (SE-лазеры)
H01S 5/183
...с вертикальным резонатором (VCSE-лазеры)
H01S 5/187
...с использованием распределенного отражателя Брэгга (SE-DBR-лазеры) ( 5/183 имеет преимущество)
H01S 5/20
.структура или форма полупроводниковой подложки для направления оптической волны
H01S 5/22
..с чередующимися гребнями и бороздками
H01S 5/223
...утопленная бороздчатая структура ( 5/227 имеет преимущество)
H01S 5/227
...утопленная мезаструктура
H01S 5/24
..в виде канавок, например V-образных
H01S 5/30
.структура или форма активной зоны; материалы, используемые для активной зоны
H01S 5/32
..с PN переходами, например гетероструктуры или двойные гетероструктуры ( 5/34, 5/36 имеют преимущество)
H01S 5/323
...в соединениях типа AIIIBV, например AlGaAs-лазер
H01S 5/327
...с соединениями AIIBVI, например ZnCdSe-лазер
H01S 5/34
..содержащие структуры с потенциальной квантовой ямой или сверхрешетчатые структуры, например лазеры с одной потенциальной ямой (SQW-лазеры), лазеры с несколькими потенциальными ямами (MQW-лазеры), ступенчатые гетероструктурные лазеры с раздельным плавным изменением показателя преломления (GRINSCH-лазеры) ( 5/36 имеет преимущество)
H01S 5/343
...в соединениях AIIIBV, например AlGaAs-лазер
H01S 5/347
...в соединениях типа AIIBVI, например ZnCdSe-лазер
H01S 5/36
..содержащие органические материалы (жидкостные лазеры с использованием органического красителя 3/213)
H01S 5/40
.размещение двух или более полупроводниковых лазеров, не предусмотренное в подгруппах 5/02 - 5/30 ( 5/50 имеет преимущество)
H01S 5/42
..решетки лазеров с лучеиспускающей поверхностью
H01S 5/50
.конструкции усилителей, не предусмотренные в группах 5/02 - 5/30 (как ретрансляторы в передающих системах H 04B 10/17)
H01S 5/00 Полупроводниковые лазеры 