..отличающиеся кристаллической структурой, например поликристаллическая структура с кубической решеткой, с определенной ориентацией кристаллической плоскости (с дефектом кристаллической решетки 29/30)
H01L 29/06
..отличающиеся формой; отличающиеся формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей
H01L 29/08
...с полупроводниковой областью, соединенной с электродом, по которому проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток, и таким же электродом, являющимся частью полупроводникового прибора с тремя или более электродами
H01L 29/10
...с полупроводниковой областью, соединенной с электродом, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток, и таким же электродом, являющимся частью полупроводникового прибора с тремя или более электродами
H01L 29/12
..отличающиеся материалами, из которых они образованы
H01L 29/15
...структуры с периодическим или квазипериодическим изменением потенциала, например множественные потенциальные квантовые ямы, сверхрешетки (такие структуры, применяемые для управления светом G 02F 1/017, такие структуры, применяемые в полупроводниковых лазерах H 01S 5/34)
H01L 29/16
...содержащие, кроме легирующих материалов или других примесей, элементы только из четвертой группы Периодической Системы в несвязанном (свободном) виде
H01L 29/161
....содержащие несколько элементов, предусмотренных в 29/16
H01L 29/165
.....в разных полупроводниковых областях
H01L 29/167
....отличающиеся легирующими материалами
H01L 29/18
...только из селена или теллура, не считая легирующих и прочих примесей
H01L 29/20
...содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, только соединения типа AIIIBV
H01L 29/201
....включая два или более соединения
H01L 29/205
.....в разных полупроводниковых областях
H01L 29/207
....отличающиеся легирующими материалами
H01L 29/22
...содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, только соединения типа AIIBVI
H01L 29/221
....включая два или более соединения
H01L 29/225
.....в разных полупроводниковых областях
H01L 29/227
....отличающиеся легирующими материалами
H01L 29/24
...содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, только неорганические полупроводниковые материалы, не предусмотренные в 29/16, 29/18, 29/20, 29/22 (содержащие органические материалы 51/00)
H01L 29/26
...содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, элементы, предусмотренные в 29/16, 29/18, 29/20, 29/22 и 29/24
H01L 29/267
....в разных полупроводниковых областях
H01L 29/30
..отличающиеся физическими дефектами структуры; имеющие полированную или шероховатую поверхность
H01L 29/32
...с дефектами структуры внутри полупроводниковой подложки
H01L 29/34
...с дефектами структуры на поверхности полупроводниковой подложки
H01L 29/36
..отличающиеся концентрацией или распределением примесей
H01L 29/38
..отличающиеся комбинацией особенностей, предусмотренных в двух или более рубриках 29/04, 29/06, 29/12, 29/30 и 29/36
H01L 29/40
.электроды
H01L 29/41
..отличающиеся формой, соответственными размерами или расположением
H01L 29/417
...пропускающие выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток
H01L 29/423
...не пропускающие выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток
H01L 29/43
..отличающиеся материалами, из которых они сформированы
H01L 29/45
...электроды с омическим сопротивлением
H01L 29/47
...электроды с барьером Шотки
H01L 29/49
...электроды структуры МДП-структуры (металл-диэлектрик-полупроводник)
H01L 29/51
....диэлектрические материалы, относящиеся к электродам
H01L 29/66
.типы полупроводниковых приборов
H01L 29/68
..управляемые только электрическим током или потенциалом, приложенным к электроду, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток ( 29/96 имеет преимущество)
H01L 29/70
...биполярные приборы
H01L 29/72
....приборы типа транзисторов, т.е. способные непрерывно реагировать на приложенные управляющие сигналы
H01L 29/73
.....биполярные плоскостные транзисторы
H01L 29/732
......вертикальные транзисторы
H01L 29/735
......горизонтальные транзисторы
H01L 29/737
......гетеротранзисторы
H01L 29/739
.....управляемые полевым эффектом
H01L 29/74
....приборы типа тиристоров с четырехзонной регенерацией
H01L 29/744
.....с выключением приборов по управляющему электроду
H01L 29/745
......с выключением с помощью полевого эффекта
H01L 29/747
.....двунаправленные приборы, например симисторы (симметричные триодные тиристоры)
.....с каналом с кристаллическим газ-носителем при подаче на затвор напряжения одной полярности, например квантуемый по проводам полевой транзистор
H01L 29/778
.....с каналом с кристаллическим газ-носителем при подаче на затвор напряжения двух полярностей, например транзисторы с высокой подвижностью электронов)
H01L 29/78
.....с полевым эффектом, создаваемым при помощи изолированного затвора
H01L 29/786
......тонкопленочные транзисторы
H01L 29/788
......с плавающим затвором
H01L 29/792
......с изолятором затвора, захватывающим заряды, например запоминающий МНОП-транзистор
H01L 29/80
.....с полевым эффектом, создаваемым при помощи управляющего p-n-перехода или другого выпрямляющего перехода
H01L 29/808
......с затвором в виде p-n-перехода
H01L 29/812
......с затвором типа барьера Шотки
H01L 29/82
..управляемые только изменением магнитного поля, приложенного к прибору ( 29/96 имеет преимущество)
H01L 29/84
..управляемые только изменением приложенных механических усилий, например изменением давления ( 29/96 имеет преимущество)
H01L 29/86
..управляемые только изменением электрического тока или электрического потенциала, приложенного к одному или нескольким электродам, по которым проходит выпрямляемый, усиливаемый, генерируемый или переключаемый ток ( 29/96 имеет преимущество)
H01L 29/8605
...плоскостные резисторы с p-n-переходом
H01L 29/861
...диоды
H01L 29/862
....точечные диоды
H01L 29/864
....инжекционно-пролетные диоды, например лавинно- пролетные диоды, лавинно-ключевые диоды
H01L 29/866
....диоды Зеннера
H01L 29/868
....p-i-n диоды
H01L 29/87
....диодные тиристоры, например диоды Шохлея, обращенные диоды
H01L 29/872
....диоды Шотки
H01L 29/88
....туннельные диоды
H01L 29/885
.....туннельные диоды Есаки
H01L 29/92
...конденсаторы с потенциальным барьером, на котором имеет место скачок потенциала, или с поверхностным барьером
H01L 29/93
....диоды с регулируемой емкостью, например варакторы
H01L 29/94
....конденсаторы с МДП-структурой, например МОП-структурой
H01L 29/96
..типа, который рассматривается по меньшей мере в двух из рубрик 29/68, 29/82, 29/84 или 29/86
H01L 29/00 Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них ( 31/00 - 47/00, 51/05 имеют преимущество; способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки приборов или их частей 21/00; конструктивные элементы иные чем полупроводниковые приборы или электроды для них 23/00; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированные на одной общей подложке или внутри нее, 27/00; резисторы вообще H 01C; конденсаторы вообще H 01G)