ИННОВАЦИОННЫЕ ПРОЕКТЫ МАЛОГО БИЗНЕСА
projects.innovbusiness.ru
Вверх H01L 29/00 Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них ( 31/00 - 47/00,  51/05 имеют преимущество; способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки приборов или их частей  21/00; конструктивные элементы иные чем полупроводниковые приборы или электроды для них  23/00; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированные на одной общей подложке или внутри нее,  27/00; резисторы вообще  H 01C; конденсаторы вообще  H 01G)
  H01L 29/02.полупроводниковые подложки
  H01L 29/04..отличающиеся кристаллической структурой, например поликристаллическая структура с кубической решеткой, с определенной ориентацией кристаллической плоскости (с дефектом кристаллической решетки  29/30)
  H01L 29/06..отличающиеся формой; отличающиеся формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей
  H01L 29/08...с полупроводниковой областью, соединенной с электродом, по которому проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток, и таким же электродом, являющимся частью полупроводникового прибора с тремя или более электродами
  H01L 29/10...с полупроводниковой областью, соединенной с электродом, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток, и таким же электродом, являющимся частью полупроводникового прибора с тремя или более электродами
  H01L 29/12..отличающиеся материалами, из которых они образованы
  H01L 29/15...структуры с периодическим или квазипериодическим изменением потенциала, например множественные потенциальные квантовые ямы, сверхрешетки (такие структуры, применяемые для управления светом  G 02F 1/017, такие структуры, применяемые в полупроводниковых лазерах  H 01S 5/34)
  H01L 29/16...содержащие, кроме легирующих материалов или других примесей, элементы только из четвертой группы Периодической Системы в несвязанном (свободном) виде
  H01L 29/161....содержащие несколько элементов, предусмотренных в  29/16
  H01L 29/165.....в разных полупроводниковых областях
  H01L 29/167....отличающиеся легирующими материалами
  H01L 29/18...только из селена или теллура, не считая легирующих и прочих примесей
  H01L 29/20...содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, только соединения типа AIIIBV
  H01L 29/201....включая два или более соединения
  H01L 29/205.....в разных полупроводниковых областях
  H01L 29/207....отличающиеся легирующими материалами
  H01L 29/22...содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, только соединения типа AIIBVI
  H01L 29/221....включая два или более соединения
  H01L 29/225.....в разных полупроводниковых областях
  H01L 29/227....отличающиеся легирующими материалами
  H01L 29/24...содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, только неорганические полупроводниковые материалы, не предусмотренные в  29/1629/1829/20,  29/22 (содержащие органические материалы  51/00)
  H01L 29/26...содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, элементы, предусмотренные в  29/1629/1829/2029/22 и  29/24
  H01L 29/267....в разных полупроводниковых областях
  H01L 29/30..отличающиеся физическими дефектами структуры; имеющие полированную или шероховатую поверхность
  H01L 29/32...с дефектами структуры внутри полупроводниковой подложки
  H01L 29/34...с дефектами структуры на поверхности полупроводниковой подложки
  H01L 29/36..отличающиеся концентрацией или распределением примесей
  H01L 29/38..отличающиеся комбинацией особенностей, предусмотренных в двух или более рубриках  29/04,  29/0629/1229/30 и  29/36
  H01L 29/40.электроды
  H01L 29/41..отличающиеся формой, соответственными размерами или расположением
  H01L 29/417...пропускающие выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток
  H01L 29/423...не пропускающие выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток
  H01L 29/43..отличающиеся материалами, из которых они сформированы
  H01L 29/45...электроды с омическим сопротивлением
  H01L 29/47...электроды с барьером Шотки
  H01L 29/49...электроды структуры МДП-структуры (металл-диэлектрик-полупроводник)
  H01L 29/51....диэлектрические материалы, относящиеся к электродам
  H01L 29/66.типы полупроводниковых приборов
  H01L 29/68..управляемые только электрическим током или потенциалом, приложенным к электроду, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток ( 29/96 имеет преимущество)
  H01L 29/70...биполярные приборы
  H01L 29/72....приборы типа транзисторов, т.е. способные непрерывно реагировать на приложенные управляющие сигналы
  H01L 29/73.....биполярные плоскостные транзисторы
  H01L 29/732......вертикальные транзисторы
  H01L 29/735......горизонтальные транзисторы
  H01L 29/737......гетеротранзисторы
  H01L 29/739.....управляемые полевым эффектом
  H01L 29/74....приборы типа тиристоров с четырехзонной регенерацией
  H01L 29/744.....с выключением приборов по управляющему электроду
  H01L 29/745......с выключением с помощью полевого эффекта
  H01L 29/747.....двунаправленные приборы, например симисторы (симметричные триодные тиристоры)
  H01L 29/749.....с выключением с помощью полевого эффекта
  H01L 29/76...униполярные приборы
  H01L 29/762....приборы с переносом заряда
  H01L 29/765.....приборы с зарядовой связью
  H01L 29/768......с полевым эффектом, обеспечиваемым изолирующим затвором
  H01L 29/772....полевые транзисторы
  H01L 29/775.....с каналом с кристаллическим газ-носителем при подаче на затвор напряжения одной полярности, например квантуемый по проводам полевой транзистор
  H01L 29/778.....с каналом с кристаллическим газ-носителем при подаче на затвор напряжения двух полярностей, например транзисторы с высокой подвижностью электронов)
  H01L 29/78.....с полевым эффектом, создаваемым при помощи изолированного затвора
  H01L 29/786......тонкопленочные транзисторы
  H01L 29/788......с плавающим затвором
  H01L 29/792......с изолятором затвора, захватывающим заряды, например запоминающий МНОП-транзистор
  H01L 29/80.....с полевым эффектом, создаваемым при помощи управляющего p-n-перехода или другого выпрямляющего перехода
  H01L 29/808......с затвором в виде p-n-перехода
  H01L 29/812......с затвором типа барьера Шотки
  H01L 29/82..управляемые только изменением магнитного поля, приложенного к прибору ( 29/96 имеет преимущество)
  H01L 29/84..управляемые только изменением приложенных механических усилий, например изменением давления ( 29/96 имеет преимущество)
  H01L 29/86..управляемые только изменением электрического тока или электрического потенциала, приложенного к одному или нескольким электродам, по которым проходит выпрямляемый, усиливаемый, генерируемый или переключаемый ток ( 29/96 имеет преимущество)
  H01L 29/8605...плоскостные резисторы с p-n-переходом
  H01L 29/861...диоды
  H01L 29/862....точечные диоды
  H01L 29/864....инжекционно-пролетные диоды, например лавинно- пролетные диоды, лавинно-ключевые диоды
  H01L 29/866....диоды Зеннера
  H01L 29/868....p-i-n диоды
  H01L 29/87....диодные тиристоры, например диоды Шохлея, обращенные диоды
  H01L 29/872....диоды Шотки
  H01L 29/88....туннельные диоды
  H01L 29/885.....туннельные диоды Есаки
  H01L 29/92...конденсаторы с потенциальным барьером, на котором имеет место скачок потенциала, или с поверхностным барьером
  H01L 29/93....диоды с регулируемой емкостью, например варакторы
  H01L 29/94....конденсаторы с МДП-структурой, например МОП-структурой
  H01L 29/96..типа, который рассматривается по меньшей мере в двух из рубрик  29/6829/8229/84 или  29/86
2003 - 2022 © НДП "Альянс Медиа"
Рейтинг@Mail.ruRambler's Top100