ИННОВАЦИОННЫЕ ПРОЕКТЫ МАЛОГО БИЗНЕСА
projects.innovbusiness.ru
Вверх H01L 21/00 Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей (способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов, относящихся к группам  31/00 - 51/00, или их частей, см. эти группы; одноступенчатые способы изготовления, содержащиеся в других подклассах, см. соответствующие подклассы, например  C 23C,  C 30B; фотомеханическое изготовление текстурированных поверхностей или поверхностей с рисунком, материалы или оригиналы для этой цели; устройства, специально предназначенные для этой цели вообще  G 03F)
  H01L 21/02.изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
  H01L 21/027..образование маски на полупроводниковой подложке для дальнейшей фотолитографической обработки, не отнесенное к рубрикам  21/18 или  21/34
  H01L 21/033...с неорганическими слоями
  H01L 21/04..приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей
  H01L 21/06...приборов с полупроводниковыми подложками, содержащими селен или теллур в несвязанной форме, если они не являются примесями в полупроводниковой подложке из другого материала
  H01L 21/08....подготовка пластины основания
  H01L 21/10....предварительная обработка селена или теллура, наложение их на пластину основания и последующая обработка этой комбинации
  H01L 21/103.....придание селену или теллуру электропроводности
  H01L 21/105.....обработка поверхности слоя селена или теллура после придания ему электропроводности
  H01L 21/108.....получение отдельных диэлектрических слоев, т.е. искусственных потенциальных барьеров
  H01L 21/12....наложение электродов на поверхность селена или теллура, после наложения селена или теллура на пластину основания
  H01L 21/14....обработка законченного прибора, например путем электроформования с целью образования потенциального барьера
  H01L 21/145.....старение
  H01L 21/16...приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат оксид или йодид меди
  H01L 21/18...приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками
  H01L 21/20....нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание
  H01L 21/203.....физическим осаждением или напылением, например вакуумным распылением или разбрызгиванием
  H01L 21/205.....разложением газовой смеси с выходом твердого конденсата или химическим осаждением
  H01L 21/208.....жидкостным напылением
  H01L 21/22....диффузия примесных материалов, например легирующих и электродных материалов, в полупроводниковую подложку или из нее или между полупроводниковыми областями; перераспределение примесей, например без введения или удаления добавочной легирующей примеси
  H01L 21/223.....диффузия из твердой фазы в газовую или из газовой фазы в твердую
  H01L 21/225.....диффузия из твердой фазы в твердую фазу или обратно, например легирование оксидного слоя
  H01L 21/228.....диффузия из твердой фазы в жидкую или обратно, например процессы сплавной диффузии
  H01L 21/24....сплавление примесей, например легирующих и электродных материалов, с полупроводниковой подложкой
  H01L 21/26....воздействие волновым излучением или излучением частиц (тепловое излучение  21/324)
  H01L 21/261.....для осуществления превращения химических элементов в результате ядерной реакции
  H01L 21/263.....с высокой энергией ( 21/261 имеет преимущество)
  H01L 21/265......с внедрением ионов (трубки с ионным пучком для локальной обработки  H 01J 37/30)
  H01L 21/266.......с использованием масок
  H01L 21/268......с использованием электромагнитного излучения, например лазерного
  H01L 21/28....изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов и устройств, не предусмотренных в  21/20 - 21/268
  H01L 21/283.....осаждением электропроводящих или диэлектрических материалов для электродов
  H01L 21/285......из газа или пара, например способом конденсации
  H01L 21/288......из жидкости, например способом электролитического осаждения
  H01L 21/30....обработка полупроводников с использованием способов и устройств, не предусмотренных в  21/20 - 21/26 (изготовление электродов на полупроводниковых телах  21/28)
  H01L 21/301.....для подразделения полупроводниковой подложки на отдельные части, например образование перегородок (резка  21/304)
  H01L 21/302.....для изменения физических свойств или формы их поверхностей, например травление, полирование, резка
  H01L 21/304......механическая обработка, например шлифование, полирование, резка
  H01L 21/306......обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для образования диэлектрических пленок  21/31; последующая обработка диэлектрических пленок  21/3105)
  H01L 21/3063.......электролитическое травление
  H01L 21/3065.......плазменное травление; ионное травление
  H01L 21/308.......с использованием масок ( 21/306321/3065 имеют преимущество)
  H01L 21/31.....с целью образования диэлектрических слоев на полупроводниках, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии (для получения электродных слоев  21/28, герметизирующих слоев  21/56); последующая обработка этих слоев; выбор материалов для этих слоев
  H01L 21/3105......последующая обработка
  H01L 21/311.......травление
  H01L 21/3115.......легирование
  H01L 21/312......из органических веществ, например слоев фоторезиста ( 21/310521/32 имеют преимущество)
  H01L 21/314......из неорганических веществ ( 21/3105,  21/32 имеют преимущество)
  H01L 21/316.......из оксидов, стекловидных оксидов или стекла на основе оксидов
  H01L 21/318.......из нитридов
  H01L 21/32......с использованием масок
  H01L 21/3205......осаждение недиэлектрических слоев, например электропроводных, резистивных, на диэлектрические слои (устройства для проведения электрического тока внутри прибора  23/52); последующая обработка этих слоев (изготовление электродов  21/28)
  H01L 21/321.......последующая обработка
  H01L 21/3213........физическое или химическое травление слоев, например для образования формы слоя из предварительно нанесенного слоя, образующего фактор экстенсивности
  H01L 21/3215........легирование
  H01L 21/322.....для модификации их характеристик, например для образования внутренних дефектов кристаллической решетки
  H01L 21/324.....термическая обработка для модификации характеристик полупроводниковых подложек, например отжиг или спекание ( 21/20 - 21/288 и  21/302 - 21/322 имеют преимущество)
  H01L 21/326.....применение электрического тока или электрических полей, например для электроформования ( 21/20 - 21/288 и  21/302 - 21/324 имеют преимущество)
  H01L 21/328....многоступенчатые процессы для изготовления биполярных приборов, например диодов, транзисторов, тиристоров
  H01L 21/329.....приборов, имеющих один или два электрода, например диодов
  H01L 21/33.....приборов, имеющих три или более электродов
  H01L 21/331......транзисторов
  H01L 21/332......тиристоров
  H01L 21/334....многоступенчатые процессы для изготовления униполярных приборов
  H01L 21/335.....полевых транзисторов
  H01L 21/336......с изолированным затвором
  H01L 21/337......с управляющим p-n-переходом
  H01L 21/338......с затвором в виде барьера Шотки
  H01L 21/339.....приборов с переносом зарядов
  H01L 21/34...изготовление приборов на полупроводниковых подложках с примесями или без них, например с примесями легирующих материалов, кроме приборов, предусмотренных в  21/0621/16 и  21/18
  H01L 21/36....нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание
  H01L 21/363.....с использованием физического осаждения, например вакуумного осаждения или напыления
  H01L 21/365.....с использованием разложения газовых смесей с выходом твердого конденсата, т.е. химическое осаждение
  H01L 21/368.....с использованием жидкостного осаждения
  H01L 21/38....диффузия примесных материалов, например легирующих и электродных материалов в полупроводниковую подложку или из нее, или между полупроводниковыми областями
  H01L 21/383.....диффузия в твердую фазу из газовой фазы, или обратная диффузия
  H01L 21/385.....диффузия в твердую фазу из твердой фазы, или обратная диффузия, например процесс добавления присадок к окисному слою
  H01L 21/388.....диффузия в твердую фазу из жидкой фазы, или обратная диффузия, например процессы сплавной диффузии
  H01L 21/40....сплавление примесных материалов, например легирующих материалов, материалов электродов, с полупроводниковой подложкой
  H01L 21/42....воздействие излучением
  H01L 21/423.....высокой энергией
  H01L 21/425......с внедрением ионов (трубки с ионным пучком для локальной обработки  H 01J 37/30)
  H01L 21/426.......с использованием масок
  H01L 21/428......с использованием электромагнитного излучения, например лазерное излучение
  H01L 21/44....изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов или устройств, не предусмотренных в  21/36 - 21/428
  H01L 21/441.....осаждением электропроводящих и диэлектрических материалов для электродов
  H01L 21/443......из газа или пара, например конденсацией
  H01L 21/445......из жидкости, например электролитическим осаждением
  H01L 21/447.....с использованием давления, например соединение с помощью теплового сжатия ( 21/607 имеет преимущество)
  H01L 21/449.....с использованием механических колебаний, например ультразвуковых
  H01L 21/46....обработка полупроводниковых подложек с использованием способов, не предусмотренных в  21/36 - 21/428 (изготовление электродов на них  21/44)
  H01L 21/461.....для изменения формы или поверхностных физических характеристик, например травлением, полированием или резкой
  H01L 21/463......обработка механическими способами, например шлифованием, ультразвуком
  H01L 21/465......обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для формования диэлектрического слоя  21/469)
  H01L 21/467.......с использованием масок
  H01L 21/469......для образования на них диэлектрических слоев, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии (слоев, образующих электроды  21/44, герметизирующих слоев  21/56); последующая обработка этих слоев
  H01L 21/47.......из органических веществ, например слоев фоторезиста ( 21/47521/4757 имеют преимущество)
  H01L 21/471.......из неорганических веществ ( 21/475,  21/4757 имеют преимущество)
  H01L 21/473........состоящих из оксидов, стекловидных оксидов или на основе оксидов стекла
  H01L 21/475.......с использованием масок
  H01L 21/4757.......последующая обработка
  H01L 21/4763......осаждение недиэлектрических слоев, например электропроводных, резистивных, на диэлектрические слои; последующая обработка этих слоев (изготовление электродов  21/28)
  H01L 21/477.....термическая обработка для модификации свойств полупроводниковых подложек, например отжигом, спеканием ( 21/36 - 21/449 и  21/461 - 21/475 имеют преимущество)
  H01L 21/479.....обработка с использованием электрического тока или электрических полей, например для электроформования ( 21/36 - 21/449 и  21/461 - 21/477 имеют преимущество)
  H01L 21/48...изготовление или обработка частей, например корпусов, до сборки прибора, с использованием способов, не предусмотренных ни одной из подгрупп  21/06 - 21/326 (корпуса, герметизирующие оболочки, заполнение, монтаж как таковые  23/00)
  H01L 21/50...сборка полупроводниковых приборов с использованием способов или устройств, не предусмотренных ни одной из подгрупп  21/06 - 21/326
  H01L 21/52....монтаж полупроводниковой подложки в корпусе
  H01L 21/54....заполнение корпуса, например газом
  H01L 21/56....герметизация, например пленками или покрытиями
  H01L 21/58....крепление полупроводникового прибора на опоре
  H01L 21/60....присоединение проводов или других электропроводящих элементов, используемых для подвода или отвода тока в процессе работы прибора
  H01L 21/603.....с использованием давления, например соединение тепловым сжатием ( 21/607 имеет преимущество)
  H01L 21/607.....с использованием механических колебаний, например ультразвуковых колебаний
  H01L 21/62..приборы, не имеющие потенциального барьера, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностного барьера
  H01L 21/64.изготовление или обработка приборов на твердом теле, иных чем полупроводниковые, или их частей, не предназначенные только для данного типа приборов, предусмотренных в группах  31/00 - 51/00
  H01L 21/66.испытания или измерения в процессе изготовления или обработки (после изготовления  G 01R 31/26)
  H01L 21/67.устройства, специально предназначенные для манипулирования полупроводниковыми или электронными устройствами на твердом теле при их изготовлении или обработке; устройства, специально предназначенные для манипулирования полупроводниковыми пластинами при изготовлении или обработке полупроводниковых или электрических устройств на твердом теле или их компонентов
  H01L 21/673..с использованием специальных держателей
  H01L 21/677..для транспортировки, например между различными рабочими местами
  H01L 21/68..для позиционирования, ориентирования и центрирования (для транспортировки  21/677)
  H01L 21/683..для поддержания или захвата (для позиционирования, ориентирования и центрирования  21/677, для изменения положения  21/68)
  H01L 21/687...с использованием механических средств, например зажимов, фиксаторов или захватов
  H01L 21/70.изготовление и обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее, или их особых частей; изготовление приборов на интегральных схемах или их особых частей (изготовление блоков, состоящих из предварительно изготовленных электрических элементов,  H 05K 3/00H 05K 13/00)
  H01L 21/71..изготовление особых частей устройств, относящихся к группам  21/7021/2821/44,  21/48 имеют преимущество)
  H01L 21/74...получение скрытых подложек с большим содержанием примесей, например скрытых коллекторных слоев, внутренних соединений
  H01L 21/76...получение изоляционных областей между компонентами
  H01L 21/761....p-n переходов
  H01L 21/762....диэлектрических областей
  H01L 21/763....поликристаллических полупроводниковых областей
  H01L 21/764....воздушных зазоров
  H01L 21/765....с помощью полевого эффекта
  H01L 21/768...с применением межсоединений, используемых для пропускания тока между отдельными компонентами внутри прибора
  H01L 21/77..изготовление или обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее
  H01L 21/78...с последующим разделением подложки на несколько отдельных приборов (резка, изменяющая физические свойства поверхности или форму полупроводниковых элементов, 21/304)
  H01L 21/782....для получения приборов, каждый из которых состоит из отдельного электрического элемента ( 21/82 имеет преимущество)
  H01L 21/784.....на подложке из полупроводникового материала
  H01L 21/786.....на подложках из материалов иных, чем полупроводниковые, например изолирующих
  H01L 21/82....для получения приборов, например интегральных схем, каждый из которых состоит из нескольких компонентов
  H01L 21/822.....полупроводниковых подложек с использованием кремниевой технологии ( 21/8258 имеет преимущество)
  H01L 21/8222......технология изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах
  H01L 21/8224.......содержащих комбинации из вертикальных и горизонтальных транзисторов
  H01L 21/8226.......содержащих объединенную транзисторную логику или интегральную переходную логику
  H01L 21/8228.......комплементарные приборы, например комплементарные транзисторы
  H01L 21/8229.......структуры памяти
  H01L 21/8232......технология изготовления интегральных схем на полевых транзисторах
  H01L 21/8234.......технология изготовления интегральных схем на MIS транзисторах
  H01L 21/8236........комбинация обеднения или обогащения транзисторов
  H01L 21/8238........на комплементарных полевых транзисторах, например КМОП-структуры
  H01L 21/8239........структуры памяти
  H01L 21/8242.........динамические структуры памяти со случайным доступом (динамические ЗУПВ)
  H01L 21/8244.........статические структуры памяти со случайным доступом (статические ЗУПВ)
  H01L 21/8246.........структуры памяти только считывающие (ПЗУ)
  H01L 21/8247..........электрически программируемые (СПЗУ)
  H01L 21/8248......комбинация технологий изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах и полевых транзисторах
  H01L 21/8249.......технология изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах и МОП-структурах
  H01L 21/8252.....на подложке из полупроводникового материала с исользованием III-V технологии ( 21/8258 имеет преимущество)
  H01L 21/8254.....на подложке из полупроводникового материала с использованием II-VI технологии ( 21/8258 имеет преимущество)
  H01L 21/8256.....на подложке из полупроводникового материала с использованием технологий, не отнесенных к рубрикам  21/82221/8252 или  21/825421/8258 имеет преимущество)
  H01L 21/8258.....на подложке из полупроводникового материала с использованием комбинации технологий, рассматриваемых в рубриках  21/82221/8252,  21/8254 или  21/8256
  H01L 21/84.....на подложке из неполупроводникового материала, например диэлектрика
  H01L 21/86......с диэлектриком из сапфира, например структуры кремний на сапфире
  H01L 21/98..сборка прибора, состоящего из твердотельных элементов, сформированных на общей подложке; сборка интегральных схем ( 21/50 имеет преимущество; блоки приборов  25/00)

Примечание
Рубрика  21/70 имеет преимущество перед рубриками  21/02 - 21/67.

2003 - 2022 © НДП "Альянс Медиа"
Рейтинг@Mail.ruRambler's Top100