.с использованием магнитных элементов ( 19/14 имеет преимущество)
G11C 19/04
..сердечников с одним отверстием или магнитного контура
G11C 19/06
..конструкций с несколькими отверстиями или магнитными контурами, например трансфлюксоров
G11C 19/08
..с использованием плоских тонких пленок
G11C 19/10
..с использованием тонких пленок, нанесенных на стержни; с твисторами
G11C 19/12
.с использованием нелинейных реактивных приборов в резонансных контурах
G11C 19/14
.с использованием магнитных элементов в комбинации с активными элементами, например электронными или газоразрядными лампами, полупроводниковыми приборами ( 19/34 имеет преимущество)
G11C 19/18
.с использованием конденсаторов в качестве основных элементов ступени
G11C 19/20
.с использованием электронных или газоразрядных ламп ( 19/14 имеет преимущество)
G11C 19/28
.с использованием полупроводниковых приборов ( 19/14, 19/36 имеют преимущество)
G11C 19/30
.с использованием электронно-оптических приборов
G11C 19/32
.с использованием сверхпроводящих приборов
G11C 19/34
.с использованием запоминающих элементов с более, чем двумя устойчивыми состояниями, представляемыми скачками, например напряжения, тока, фазы, частоты
G11C 19/36
..с использованием полупроводниковых элементов
G11C 19/38
.двухмерные, например горизонтальные и вертикальные сдвиговые регистры