..цилиндрической формы, например стержней, проволоки ( 11/12, 11/14 имеют преимущество)
G11C 11/06
..с одним отверстием, например кольцевых сердечников; пластин с несколькими отверстиями, каждое из которых образует элемент памяти
G11C 11/061
...с использованием элементов с одним отверстием или магнитным контуром для запоминания (один элемент на один бит информации) и для считывания с разрушением информации
G11C 11/063
....с битовой организацией, например с двухуровневой и/или двухмерной или трехмерной организацией, т.е. для выбора элемента с помощью по меньшей мере двух совпадающих пониженных токов как для считывания, так и для записи
G11C 11/065
....с пословной организацией, например двумерной или прямой выборкой, т.е. для выбора всех элементов слова с помощью одного полного тока считывания
G11C 11/067
...с использованием элементов с одним отверстием или магнитным контуром для запоминания (один элемент на один бит информации) и считывания без разрушения информации
G11C 11/08
..многодырочных, например трансфлюксоров пластин с несколькими отдельными многодырочными элементами памяти ( 11/10 имеет преимущство; использование пластин с несколькими отверстиями, в которых каждое отверстие образует отдельный элемент памяти 11/06)
G11C 11/10
..многоосевых
G11C 11/12
..тензоров; твисторов, т.е. элементов, в которых одна ось магнетизации скручивается
G11C 11/14
..тонкопленочных
G11C 11/15
...с использованием нескольких магнитных слоев ( 11/155 имеет преимущество)
G11C 11/155
...цилиндрической формы
G11C 11/16
..в которых эффект памяти основан на спин-эффекте
G11C 11/18
.с использованием устройств, основанных на эффекте Холла
G11C 11/19
.с использованием нелинейных реактивных приборов в резонансных контурах
G11C 11/20
..с использованием параметронов
G11C 11/21
.с использованием электрических элементов
G11C 11/22
..с использованием сегнетоэлектрических элементов
G11C 11/23
..с исользованием электростатической памяти на общей пленке, например электростатических ламп Форрестора-Хеффа ( 11/22 имеет преимущество)
G11C 11/24
..с использованием конденсаторов ( 11/22 имеет преимущество; использование сочетания полупроводниковых приборов и конденсаторов 11/34, например 11/40)
G11C 11/26
..с использованием электронных или газоразрядных ламп
...с накоплением заряда в обедненном слое, например устройства с зарядовой связью
G11C 11/36
...диодов, например применяемых в качестве пороговых элементов
G11C 11/38
....туннельных диодов
G11C 11/39
...тиристоров
G11C 11/40
...транзисторов
G11C 11/401
....образующих ячейки, для которых необходимо восстановление или регенерация заряда, т.е. динамические ячейки
G11C 11/402
.....с регенерацией заряда отдельно для каждой ячейки памяти, т.е. внутреннее восстановление
G11C 11/403
.....с регенерацией заряда, общего для множества ячеек памяти, т.е. внешнее восстановление
G11C 11/404
......с одним вентилем с переносом заряда, например МОП-транзистором, в одной ячейке памяти
G11C 11/405
......с тремя вентилями с переносом заряда, например МОП-транзисторами, в одной ячейке памяти
G11C 11/406
.....управление или регулирование циклов восстановления или регенерации заряда
G11C 11/4063
.....вспомогательные схемы, например для адресации, декодирования, запуска, записи, считывания или синхронизации
G11C 11/4067
......для ячеек памяти биполярного типа
G11C 11/407
......вспомогательные схемы, например для адресации, декодирования, запуска, записи, считывания или синхронизации ячеек памяти с полевым эффектом
G11C 11/4072
.......схемы инициализации, включения или выключения, установки в исходное состояние или предварительной настройки
G11C 11/4074
.......схемы электропитания или генерирования напряжения, например генераторы напряжения смещения, генераторы напряжения замены, резервное электропитание, схемы регулирования мощности
G11C 11/4076
.......схемы синхронизации (для управления регенерации 11/406)
G11C 11/4078
.......схемы безопасности или защиты, например для предотвращения непреднамеренной или несанкционированной записи или считывания; ячейки состояния; тестовые ячейки (защита содержимого памяти во время проверки или испытания 29/52)
G11C 11/408
.......адресные схемы
G11C 11/409
.......схемы записи-считывания (R-W)
G11C 11/4091
........усилители считывания или считывания/восстановления или соответствующая электрическая схема считывания, например для предварительного заряжения, стабилизации, коррекции или разделения разрядных линий связи
G11C 11/4093
........устройства связи (интерфейсные устройства) для ввода-вывода (E/S, I/O) данных, например буферные устройства (схемы преобразования уровня вообще H 03K 19/0175)
G11C 11/4094
........схемы управления или регулирования разрядных линий
G11C 11/4096
........схемы управления или регулирования ввода-вывода (E/S, I/O) данных, например схемы записи или считывания, драйверы ввода-вывода, переключатели разрядных линий
G11C 11/4097
........структура разрядных линий, например компоновка разрядных линий, свертывание разрядных линий
....образующих ячейки с положительной обратной связью, т.е. ячейки, не нуждающиеся в восстановлении или регенерации заряда, например бистабильные мультивибраторы или триггеры Шмидта
G11C 11/411
.....с использованием только биполярных транзисторов
G11C 11/412
.....с использованием только полевых транзисторов
G11C 11/413
.....вспомогательные схемы, например для адресации, декодирования, запуска, записи, считывания, синхронизации или снижения мощности
G11C 11/414
......для элементов памяти биполярного типа
G11C 11/415
.......адресные схемы
G11C 11/416
.......схемы записи - считывания
G11C 11/417
......для элементов памяти с полевым эффектом
G11C 11/418
.......адресные схемы
G11C 11/419
.......схемы записи - считывания
G11C 11/4193
...вспомогательные схемы, приспособленные для особых типов полупроводниковых запоминающих устройств, например для адресации, запуска, считывания, синхронизации, электропитания, распространения сигнала ( 11/4063, 11/413 имеют преимущество)
G11C 11/4195
....адресные схемы
G11C 11/4197
....схемы записи-считывания
G11C 11/42
..с использованием оптоэлектронных приборов, т.е. светоизлучающих и фотоэлектрических устройств, связанных оптически или электрически
G11C 11/44
..с использованием сверхпроводящих элементов, например криотронов
G11C 11/46
.с использованием термопластичных элементов
G11C 11/48
.с использованием перемещающихся элементов, например ферромагнитных сердечников для изменения индуктивности или индуктивной связи
G11C 11/50
.с использованием электрических контактных устройств для накопления информации (механические устройства памяти 23/00; переключатели, обеспечивающие определенное число срабатываний при однофазном воздействии на ручной элемент управления H 01H 41/00)
G11C 11/52
..электромагнитных реле
G11C 11/54
.с использованием элементов, имитирующих биологические клетки, например нейроны
G11C 11/56
.с использованием запоминающих элементов с более чем двумя состояниями устойчивости, определяемыми импульсами, например напряжения, тока или импульсными изменениями фазы или частоты (счетные устройства, содержащие элементы такого типа со многими состояниями устойчивости, H 03K 25/00, H 03K 29/00)
Примечание Рубрика 11/56 имеет преимущество перед рубриками 11/02 - 11/54.
G11C 11/00 Цифровые запоминающие устройства, отличающиеся применением различных электрических или магнитных элементов памяти; элементы памяти для них ( 14/00 - 21/00 имеют преимущество)